助攻電晶體續微縮！應材推2大新系統 搶GAA、3D NAND商機 【記者呂承哲／綜合報導】隨著AI運算需求快速成長，半導體產業正加速導入環繞式閘極（GAA）電晶體與高層數3D NAND等先進3D架構，但元件結構愈來愈深、愈來愈窄，也讓材料沉積與蝕刻製程面臨更高挑戰。應用材料（Applied Materials）宣布推出全新Centris Spectral氮化矽原子層沉積（ALD）系統與Producer Selectra鉬蝕刻系統，協助晶片製造商在高深寬比結構中實現更精準的材料工程，進一步推動先進邏輯與記憶體元件持續微縮。
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