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High NA EUV戰局升溫　三星、英特爾同步攜ASML搶進下一代12吋光罩【記者呂承哲／台北報導】High NA EUV競賽全面升溫！台積電與ASML宣布攜手推動次世代12吋光罩，規劃2031年前建立試產線後，三星電子（Samsung Electronics）、英特爾晶圓代工（Intel Foundry）也公布最新布局。三星加入12吋光罩倡議，並計畫2028年前率先導入DRAM量產，英特爾則已將High NA用於18A及Panther Lake部分製程。

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