三星3D記憶體再進化!zHBM、zNAND-O亮相 喊話與台廠攻破兩道AI高牆 【記者呂承哲/台北報導】AI持續推升記憶體需求,三星電子記憶體產品規劃部門副總裁崔璋石(Jangseok Choi)今(1)日在SEMICON Taiwan記憶體高峰論壇表示,傳統2.5D架構逐漸面臨資料傳輸距離及散熱限制,三星提出「CUBE」策略推進3D整合,並將下一波突破口瞄準「Z軸」,揭露新一代zHBM、zNAND-O藍圖,其中zHBM效能目標較HBM4E最高提升8倍,zNAND-O則預計2028年開始送樣。
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