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世界先進0.35微米650 V氮化鎵製程邁入量產 具優良散熱表現 【記者蕭文康/台北報導】世界先進(5347)宣布其領先的8吋0.35微米650 V的新基底高電壓氮化鎵製程(GaN-on-QST)已於客戶端完成首批產品系統及可靠性驗證,正式進入量產,為特殊積體電路製造服務領域首家量產此技術的公司。

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世界先進0.35微米650 V氮化鎵製程邁入量產 具優良散熱表現
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