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科林研發推出ALTUS Halo實現鉬ALD　開啟半導體金屬化新時代【記者呂承哲／台北報導】Lam Research 科林研發推出全球首款利用鉬金屬進行原子層沉積（ALD）的設備ALTUS Halo。該技術透過多項專利創新，為先進半導體提供低電阻率金屬填充與高精度沉積。ALTUS Halo 目前正與所有領先的晶片製造商進行驗證和試量產，標誌著半導體金屬化新時代的來臨，並奠定 AI、雲端運算及下一代智慧裝置所需先進晶片的基礎。

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