科林研發Lam Cryo 3.0 低溫蝕刻技術 持續推進3D NAND目標 【記者呂承哲／台北報導】美國半導體設備大廠Lam Research 科林研發（股票代號：LRCX）推出Lam Cryo 3.0 ，這是該公司經過生產驗證的第三代低溫介電層蝕刻技術，擴大了在 3D NAND 快閃記憶體蝕刻領域的領先地位。隨著生成式人工智慧（AI）的普及不斷推動更大容量和更高效能記憶體的需求，Lam Cryo 3.0 為未來先進 3D NAND 的製造提供了至關重要的蝕刻能力。Lam Cryo 3.0 利用超低溫、高功率侷限電漿反應器技術和創新的表面化學製程，以業界領先的精度和輪廓控制進行蝕刻。
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