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科林研發推出乾式光阻技術　有效解決EUV成本與良率權衡問題【記者呂承哲／台北報導】 Lam Research 科林研發（LRCX）宣布，其創新的乾式光阻（dry resist）技術可直接印刷 28 奈米間距之後段（BEOL）邏輯製程，適用於 2奈米以下先進製程，現已獲得在奈米電子與數位技術領域中，極具領導地位的研究與創新中心 imec 所認證。

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