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格棋榮獲第21屆國家新創獎　持續推動碳化矽技術獲肯定【記者呂承哲／台北報導】台灣專業碳化矽（SiC）長晶技術領導廠商格棋化合物半導體，近日以「低缺陷密度八吋碳化矽晶圓技術（Low Defect Density of 8-Inch Silicon Carbide Wafer Technology）」榮獲第21屆國家新創獎－企業新創獎。該技術不僅提高能源效率與減少碳排放，更能促進綠色技術普及，對全球永續發展具有深遠意義。

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